IUT集成功率MOS，采用同步开关架构，使其在应用时仅需极少的外围器件，可有效减少整体方案尺寸，降低BOM成本。IUT具有2A的充电电流能力，充电电流可以通过外部电阻灵活可调。IUT内置四个环路来控制充电过程，分别为恒流(CC)环路、恒压(CV)环路、芯片温度调节环路、可智能调节充电电流，防止拉垮适配器输出，并匹配所有适配器的输入自适应环路。IUT输入自适应点通过外部分压电阻灵活可调。IUT通过调节外部反馈电阻的分压比例，得到不同的恒压充电电压值，从而适配不同规格的超级电容。IUT具有完善的保护功能，包括输入欠压/过压保护、输出过压、电池温度保护NTC功能、芯片温度保护。此外芯片通过外接的LED指示灯对充电过程实现全程监控。
在当今快速发展的电子技术领域，超级电容作为一种新型的储能元件，因其具有高能量密度、快速充电和放电等优点而被广泛应用于各种电源系统中。然而，对于如何为超级电容进行高效、安全的充电管理，一直是工程师们
